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半導體存儲器又稱(chēng)存儲芯片，是以半導體電路作為存儲媒介的存儲器，用于保存二進(jìn)制數據的記憶設備，是現代數字系統的重要組成部分。半導體存儲器具有體積小、存儲速度快等特點(diǎn)。根據存儲原理的不同，半導體存儲器可分為隨機存儲器(RAM)和只讀存儲器(ROM)。
隨機存儲器(RAM)
與中央處理器(CPU)直接交換數據的內部存儲器，可隨時(shí)讀寫(xiě)且速度快，斷電后存儲數據丟失，是易失性存儲器。RAM又可進(jìn)一步細分為動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM)，DRAM用作內存，需求量遠高于SRAM，SRAM速度很快但成本高，一般用于作中央處理器的高速緩存。
只讀存儲器(ROM)
只能讀取事先存儲的信息的存儲器，斷電后所存數據不會(huì )丟失，根據可編程、可抹除功能，ROM可分為PROM、EPROM、OTPROM、EEPROM和Flash等。Flash是當前主流的存儲器，具備電子可擦除可編程的性能，能夠快速讀取數據而且斷電時(shí)不會(huì )丟失數據，往往與DRAM搭配使用。Flash可進(jìn)一步細分為NAND Flash和 NOR Flash。NAND Flash 寫(xiě)入和擦除的速度快、存儲密度高、容量大，但不能直接運行 NAND Flash上的代碼，適用于高容量數據的存儲；NOR Flash的優(yōu)勢是芯片內執行——無(wú)需系統 RAM 就可直接運行 NOR Flash 里面的代碼，容量較小，一般為1Mb-2Gb。
存儲芯片分類(lèi)
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